Отправил an.Дата добавления 09.09.2009 (2506 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .