Отправил foobar.Дата добавления 09.09.2009 (1324 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
Храните микросхемы в упаковке, обеспечивающей закорачивание их выводов, например, завернутыми в алюминиевую фольгу. При переноске не касайтесь выводов микросхемы, берите за корпус, иначе ваше статическое электричество может повредить микросхему.