Отправил an.Дата добавления 10.09.2009 (4520 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling
При первом включении после ремонта (для двухтактных УНЧ): 1. в разрыв "+" и "_" резисторы около 100 Ом для ограничения тока в случае не полного устранения неисправности.