Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1731 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS Low Charge and Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
При пайке деталей над горловиной кинескопа накройте ее куском материи. Этим Вы убережёте кинескоп от случайно падающего расплавленного припоя и, следовательно, от трещин в его стекле.