Отправил an.Дата добавления 01.09.2009 (1523 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.