Отправил foobar.Дата добавления 16.09.2009 (1948 прочтений)
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications. Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage Excellent DC Current Gain — hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc High Current Gain Bandwidth Product
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .