Отправил an.Дата добавления 01.09.2009 (3320 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .