Пульсар

ФГУП «НПП «Пульсар» - лидер отечественной полупроводниковой электроники. Предприятие специализируется на разработке и производстве полупроводниковых СВЧ, силовых, оптоэлектронных и микроэлектронных приборов народно-хозяйственного и двойного назначения.

 
ФГУП «НПП «Пульсар» (ранее НИИ №35) основано Постановлением СМ СССР от 4 июня 1953 №1402/563, приказом Министра электростанций и электропромышленности от 9 июня 1953 № 60 как первый в СССР отраслевой НИИ электронной промышленности для комплексного решения вопросов развития новейшей в то время области электроники. Целями образования НИИ №35 были: разработка промышленных типов полупроводниковых приборов; проведение единой технической политики и создание научно-технической базы по разработке и внедрению полупроводниковых приборов, в первую очередь, транзисторов, в производство. В дальнейшем предприятие получило название НИИ полупроводниковой электроники, НИИ «Пульсар» и ныне ФГУП «НПП «Пульсар». «Пульсар» разработал первые отечественные промышленные образцы транзисторов, первые интегральные схемы и стал ведущим базовым предприятием полупроводниковой отрасли электронной промышленности. За годы работы предприятием в роли головного научно-производственного центра в сотрудничестве с НИИ, КБ и заводами отрасли было создано около тысячи различных полупроводниковых приборов, интегральных схем и устройств на их основе, которые выпускались миллионными и миллиардными (транзистор КТ315) сериями.

 
ФГУП «НПП «Пульсар» находится в ведении Министерства промышленности и торговли РФ (департамент радиоэлектронной промышленности). Основные направления деятельности предприятия - разработка нового поколения электронной компонентной базы для твердотельного радиоэлектронного приборостроения, выпуск твердотельной аппаратуры для информационных систем различного назначения. На предприятии функционирует дизайн-центр для проектирования изделий электронной техники (ИЭТ) и комплексированных сложных функциональных блоков (СФБ), оснащенный современным программно-аппаратным комплексом проектирования. Предприятие обеспечивает контроль качества продукции в соответствии с отечественными и международными стандартами качества. Испытательный Центр имеет аттестат на проведение испытаний электронной компонентной базы отечественного и зарубежного производства. В рамках технического перевооружения и реконструкции выполняются инвестиционные проекты по созданию современного специализированного производства СВЧ полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС). Проекты предполагают переоснащение предприятия современной научной аппаратурой и передовым технологическим оборудованием для всех уровней разработки от проектирования до производства СВЧ приборов и изделий фотоэлектроники. Производственно-технологическое и исследовательское оборудование обеспечивают выполнение и контроль сложных технологических процессов ионного легирования, электронной и проекционной литографии, нанесения диэлектрических и металлических пленок, химических и плазмохимических обработок полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов, тонких слоев многослойных композиционных структур. Наряду с технологиями создания приборов на кремнии и арсениде галлия, предприятие активно наращивает работы на новых материалах, таких как карбид кремния, нитриды галлия и алюминия, алмаз, кремний-германий.
Предприятие участвует в выполнении ФЦП «Национальная технологическая база», разрабатывает и выпускает приборы по следующим направлениям: кремниевые и арсенид-галлиевые биполярные и полевые транзисторы для силовой и СВЧ электроники; модули аппаратуры радиолокации и связи на базе узлов и блоков, выполняемых на собственной элементной базе; фоточувствительные линейные и матричные приборы с зарядовой связью видимого, ИК, УФ и рентгеновского диапазонов длин волн; быстродействующие аналоговые и цифровые микросхемы для аппаратуры обработки сигналов и силовой электроники. Основные области применения выпускаемых приборов в народном хозяйстве и в оборонном комплексе - связь, радиолокация, навигация, силовая электроника, техника телевидения, промышленная электроника. Потребителями продукции являются более 500 предприятий России.

 
История развития предприятия связана с развитием технологий новых полупроводниковых материалов и технологий, направленных на уменьшение размеров активных областей и электродов приборов.

 
На предприятии впервые в СССР были выращены монокристаллические слитки бездислокационного германия, сильнолегированный вырожденный германий для туннельных диодов, предложен метод эпитаксиального наращивания слоев германия, разработаны технология и оборудование для выращивания монокристаллов кремния в водороде.
В первые годы основным направлением работ было создание германиевых диодов и транзисторов. В 1953 - 1954 были созданы первые в СССР промышленные образцы точечных, а затем и плоскостных транзисторов. Разработки велись на базе сплавной, сплавно-диффузионной и планарной технологии. Революционным стал сплавно-диффузионный метод изготовления транзисторной структуры, позволивший в десятки раз по сравнению со сплавным уменьшить толщину базовой области биполярных транзисторов. Первый супергетеродинный приемник и радиосвязь с первым космическим спутником реализованы на транзисторах разработки и выпуска «Пульсара».

 
Широкий резонанс в стране и мире нашли планарные ВЧ и СВЧ германиевые транзисторы для комплектации телевизионных приемников. В разработке планарной технологии на германии предприятие оказалось мировым лидером, получило ряд патентов, а транзисторы поставлялись в ведущие страны Западной Европы

 
С 1956 осваивается и развивается кремниевая технология изготовления транзисторов. На базе сплавной, диффузионной и затем планарной технологии были проведены разработки и организован серийный выпуск приборов, при этом основными направлениями было выбрано повышение рабочей частоты и отдаваемой мощности приборов. Разработанные кремниевые биполярные СВЧ транзисторы были использованы для создания первых твердотельных узлов и блоков для РЛС.
Важнейшим направлением работ стали разработки полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и изолированным затвором. Сегодня переключательные,  СВЧ мощные транзисторы и биполярные транзисторы с полевым управлением (БТИЗ) определяют тактико-технические характеристики РЭА бытового и специального назначения.

 
С 1959 развивается направление, связанное с открытием сотрудниками НИИ «Пульсар» и НИИ «Исток» высокочастотной генерации при лавинном пробое. Начинается создание германиевых и кремниевых, а в последующие годы арсенид-галлиевых лавинно - пролетных диодов. Приборы позволили получить мощности от единиц до десятков ватт в диапазоне сантиметровых и миллиметровых длин волн и долгое время не имели конкуренции со стороны других приборов. Эти приборы стали основой создания радаров - измерителей скорости транспортных средств.

 
В 1973-1975 начинает развиваться новое направление полупроводниковой электроники - фотоэлектроника, на базе приборов с зарядовой связью (ПЗС). Создается новое поколение микросхем - драйверы, синхрогенераторы и коммутаторы для управления ПЗС. Фотоприемные устройства, выполненные на ФПЗС, позволили изготовить первые оптические локаторы для дистанционного зондирования поверхности Земли.

 
Начав с микроминиатюризации полупроводниковых приборов - микромодулей и разработки гибридных интегральных схем, предприятие было инициатором развития интегральной электроники в СССР. Основой для микроэлектроники были успехи «Пульсара» в создании планарного кремниевого транзистора, быстродействующего переключательного планарно-эпитаксиального транзистора, технологии фотолитографии. Первые микросхемы «Посол» разработаны в 1967-68, коллектив разработчиков удостоен Государственной премии СССР. Далее были ИС-100, первые в мире твердотельные быстродействующие ТТЛ-микросхемы с парафазным выходом, КМОП схемы для приборов точного времени и др. «Пульсар» первым взялся за разработку электронных наручных часов. Различные варианты их исполнения с индикацией на ЖК и светодиодах выпускались на заводе «Пульсар» и в дальнейшем переданы на освоение в г. Минск. В настоящее время предприятие разрабатывает и выпускает: быстродействующие аналоговые микросхемы на базе уникальной комплементарной биполярной технологии (операционные усилители, компараторы, устройства выборки и хранения, усилители с регулируемым усилением); интегральные микросхемы управления и защиты силовых транзисторных ключей для силовой электроники; быстродействующие многоканальные ИМС управления и обработки сигналов в оптоэлектронных системах специального и общегражданского назначения; быстродействующие многоканальные аналоговые микросхемы детекторной электроники, БИС синхронизации и управления фотоприемными устройствами; микросхемы для комплексированных изделий (усилители-ограничители, логарифмические усилители и др.).

 
Активное развитие в 80-х годах технологии изготовления арсенид-галлиевых приборов с использованием молекулярно-лучевой и МОС-гидридной технологий дало возможность создавать гетеро-эпитаксиальные структуры на материалах группы А3В5 и СВЧ транзисторы и монолитные СВЧ интегральные схемы на их основе. С использованием полевых транзисторов были разработаны малошумящие и мощные усилители СВЧ и КВЧ диапазонов частот.

 
Успешное развитие мощных кремниевых СВЧ транзисторов L и S диапазонов частот позволило полностью укомплектовать РЛС дальнего обнаружения, РЛС с твердотельной ФАР «Гамма Д» и «Каста 2Е1», приступить к модернизации другой аппаратуры для РЛС.

 
Естественным развитием становится новое направление - создание комплексированных радиоэлектронных изделий. Создается технологическая база для изготовления узлов и блоков радиоэлектронной твердотельной аппаратуры для радиолокации и связи в микроэлектронном исполнении. Это позволило значительно снизить габариты и вес радиоэлектронной аппаратуры. Наиболее крупной работой в 80-е годы была разработка полностью твердотельного самолетного ответчика системы Государственного опознавания.

 
С использованием опыта этой разработки, в настоящее время ФГУП «НПП «Пульсар» развивает новое направление научно-технической деятельности – сложные функциональные блоки (СФБ) и СВЧ твердотельную электронную компонентную базу (ЭКБ) на основе систем в корпусе. Основная цель работ - разработка и производство комплексированных изделий для создания новых твердотельных радиолокационных систем, в т.ч. с АФАР, для народного хозяйства и оборонного комплекса. Все твердотельные сложные функциональные блоки аппаратуры радиолокации и связи конструируются и изготовляются на собственной элементной базе. Среди наиболее успешных проектов - работы по модернизации аэродромных и трассовых РЛС типа «Утес-А» и Утес-Т», входящих в национальную систему управления воздушным движением (УВД), в аэропортах Домодедово, Внуково, Пулково, г. Дзержинска и др.

 
На предприятии сложился высококвалифицированный научно-производственный коллектив. Научный потенциал отметившего 55-летие «Пульсара» - это 5 «Заслуженных деятелей науки», более 60 докторов и кандидатов наук, сотни разработчиков, конструкторов и технологов высокого уровня. За большой вклад в развитие отечественной электронной техники предприятие награждено орденом Трудового Красного Знамени (1968) и орденом Ленина (1984). Более 20 сотрудников предприятия удостоены звания Лауреатов Ленинской и Государственных премий СССР и РФ за личный вклад в разработку и внедрение новых приборов. Интеллектуальная собственность предприятия – это около 1400 патентов и авторских свидетельств. На предприятии 6 сотрудников удостоены звания «Заслуженный изобретатель РФ», десятки - «Изобретатель СССР».