Активные элементы

Диод

Свойства: (значения по умолчанию)

• Модель: (Диод по умолчанию)
  Модель диода определяется набором параметров.
  Добавляйте новые модели в файл: data/diodes.model

• Падение напряжения: (0,634767 В)
  Падение напряжения при прямом смещении.
• Максимальный ток: (1 А)
  Максимальный прямой ток диода (диод мигает при его превышении).
• Сопротивление: (0,05 Ом)
  Сопротивление в открытом состоянии.

• Напряжение пробоя (0 В)
  Напряжение пробоя диода при обратном смещении.
• Обратный ток: (171,435 нА)
  Ток неосновных носителей заряда при обратном смещении.
• Коэффициент инжекции: (2)
  Коэффициент идеальности.

Стабилитрон

Свойства: (значения по умолчанию)

• Модель: (Зенер по умолчанию)
  Модель диода определяется набором параметров.
  Добавляйте новые модели в файл: data/diodes.model

• Падение напряжение: (0,634767 В)
  Падение напряжения при прямом смещении.
• Максимальный ток: (1 А)
  Максимальный ток (индикатор мигает при превышении).
• Сопротивление: (0,05 Ом)
  Последовательное сопротивление.

• Напряжение пробоя (5,6 В)
  Напряжение пробоя (стабилизации) при обратном смещении.
• Обратный ток: (171,435 нА)
  Ток неосновных носителей заряда при обратном смещении.
• Коэффициент инжекции: (2)
  Фактор идеальности.

Тиристор

Свойство: (значение по умолчанию)

• Сопротивление затвора: (100 Ом)
  Сопротивление между УЭ и катодом.
• Ток открывания: (10 мА)
  Минимальный ток для начала проводимости.
• Ток удержания: (8,2 мА)
  Минимальный ток для поддержания проводимости.

Диак

Свойства: (значения по умолчанию)

• Сопротивление в открытом состоянии: (500 Ом)
  Сопротивление при включении.
• Сопротивление в закрытом состоянии: (100 МОм)
  Сопротивление при отключении.
• Напряжение пробоя (30 В)
  Напряжение для начала проводимости.
• Ток удержания: (10 мА) Минимальный ток для поддержания проводимости.

Симистор

Свойства: (значения по умолчанию)

• Сопротивление затвора: (500 Ом)
  Сопротивление между УЭ и MT1.
• Ток открывания: (10 мА)
  Минимальный ток для начала проводимости (для открытия симистора)
• Ток удержания: (8,2 мА)
  Минимальный ток для поддержания проводимости.

МОП-транзистор

Свойства: (значения по умолчанию)

• P-канал: (нет)
  Выбирает тип проводимости транзистора: P-канал (Да) или N-канал (Нет).
• Встроенный канал: (нет)
  Выбирает тип канала транзистора: Встроенный канал (Да) или индуцированный канал (Нет).

Электрические:
• RDSon: (1 В)
  Сопротивление DS в нижней части линейной области в открытом состоянии:
  VGS больше Vth и VDS меньше ( VGS – Vth )
• Порог: (3 В)
  Напряжение между затвором и источником для начала проводимости транзистора.

Биполярный транзистор

Свойства: (значение по умолчанию)

• PNP: (нет)
  PNP или NPN.
• Коэффициент усиления: (100)
  Коэффициент усиления по току.
• Пороговое значение: (0,670736 В)
  Пороговое значение перехода база-эмиттер.

Операционный усилитель

Свойства: (значения по умолчанию)

• Усиление: (1000)
  Коэффициент усиления по напряжению.
• Выходной импеданс: (0 Ом)
  Полное сопротивление выходного каскада.

• V+ (5 В)
  Положительное напряжение питания, если контакты питания не используются.
• V- (0 В)
  Отрицательное напряжение питания, если контакты питания не используются.
• Показать выводы питания: (нет)
  Используйте контакты питания вместо указанных выше значений.

Стабилизатор напряжения

Свойства: (значения по умолчанию)

• Выходное напряжение: (1,2 В)
  Выходное напряжение стабилизатора при подключнении "R" к земле.

Аналоговый мультиплексор

Свойства: (значения по умолчанию)

• Разрядность адреса: (3 бита)
  Определяет количество каналов: n = 2^Address_Size
• Импеданс: (1 мОм)
  Полное сопротивление открытого ключа.