Спасибо за разъяснение насчёт коэффициента. Вряд ли Протеус урезанный. Я смоделировал схему с этой моделью транзистора, где напряжение питания 4,5В, а ток в цепи стока 4А, на истоке резистор к земле, согласно условиям графика из даташита. Замерил падение напряжения на транзисторе между стоком и истоком. Дальше по закону Ома: это напряжение на транзисторе (исток-сток) делю на ток (4А) и получаю эти самые 0,41 Ома. А больше никак, других настроек по редактированию транзистора я не нахожу.
А что касается заявленных на первой странице даташита RDS(on)=0,045 Ом, то в Протеусе напряжение между истоком-стоком должно показывать ноль, но это не так. Если бы сравнить с реальным транзистором, но такой возможности нет.

https://community.infineon.com/t5/MOSF ... RDS-on-graph/td-p/345877#.

Это у Infineon не сопротивление, а коэффициент для стандартного Rds(on) при 25°.
Цитата:
это где посмотреть? Или у меня Протеус урезанный... не нашел, где редактировать можно параметры транзисторов....

Вопрос интересный и вот что я понял, если конечно правильно. В даташит IRLML2502TR на первой странице заявлено: RDS(on) = 0.045Ω
На графике Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature показано: RDS(on), Drain-to-Source On Resistance (Normalized) от 0,75 Ом до 1,6 Ом при температуре от -60 до +160 градусов по Цельсию.
Я не очень понимаю откуда RDS(on) = 0.045Ω, не понятно. Здесь вопрос к составителям дататшита.
В Протеусе сопротивление RDS(on)=0,41 Ома, что вне графика даташита, здесь вопрос к разработчикам модели транзистора.
Вывод: измерения в симуляторе далеки от даташита.

Прикреплённый файл:

---

  IRML2502.gif (18.19 KB)

На полевом транзисторе может 1,1 Вольт падать? Или опять протеус пургу гонит?

Прикреплённый файл:

---

  1.jpg (86.38 KB)

Быстрая проверка биполярных и полевых транзисторов
Новое:
- обучен отдельно распознавать биполярные и полевые транзисторы;
- сделан раздельной вывод информации;
- изменено сообщение в случае неисправного транзистора или плохого контакта;
- добавлено приветствие и сокращённая ссылка на данный проект.

Прикреплённый файл:

---

  Raschet KPT.gif (53.18 KB)

Raschet KPT v1.1.zip Размер: 166.73 KB; Просмотры: 5

Подозреваю, что в моделях график зависимостей строится не по даташитам, а по формуле функции отдалённо напоминающий реальный график зависимости. Иначе модель в симуляторе будет работать с большим трудом перебирая массив каждой зависимости. Вот отсюда и получается несоответствие.

Там тупо несоответствие даташиту, в даташите на CD4017 чуть ли не график зависимости напряжения от тока приведен.

Быстрая проверка биполярных и полевых транзисторов
Новое:
- добавлено приблизительное определение коэффициента передачи тока hFE для биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером, с погрешностью до плюс-минус 10%.

Прикреплённый файл:

---

  Raschet KPT.gif (45.01 KB)

Raschet KPT.zip Размер: 131.50 KB; Просмотры: 6

Бывает такое, если скетч при компиляции в симуляторе выдаёт ошибку, несмотря на любые попытки разобраться в чём дело, просто создайте новую папку и сохраните туда свою схему и скетч. Помогает, ошибка перестаёт появляться.

Быстрая проверка биполярных полевых транзисторов
Всё то же самое, что и в предыдущем варианте, но только без LCD-дисплея, а со светодиодами и надписями к ним.

Прикреплённый файл:

---

  Bqstraja proverka tranzistorov 6.gif (61.73 KB)

Bqstraja proverka tranzistorov1.2.zip Размер: 109.77 KB; Просмотры: 8