Быстрая проверка биполярных и полевых транзисторов
Символы на индикаторе:
Полевые транзисторы:
Pch - P-channel
nch - N-channel
S9d d9S - sgd dgs порядок выводов полевого транзистора
Биполярные транзисторы:
PnP - p-n-p структура
nPn - n-p-n структура
E8C C8E - ebc cbe порядок выводов биполярного транзистора
FAU - Faulty (Неисправный)
В архивах варианты с ОК и ОА для цифрового индикатора.

Прикреплённый файл:

---

  simulide_Qf4rBXY9Nv.gif (118.81 KB)

Bqstraja proverka tranzistorov OK v1.4.zip Размер: 124.22 KB; Просмотры: 0
Bqstraja proverka tranzistorov OA v1.4.zip Размер: 106.40 KB; Просмотры: 0

Быстрая проверка биполярных и полевых транзисторов
Продолжение развития варианта на светодиодах

Прикреплённый файл:

---

  Bqstraja proverka tranzistorov v1.3.gif (55.83 KB)

Bqstraja proverka tranzistorov v1.3.zip Размер: 149.91 KB; Просмотры: 2

Согласен. Если резистор в цепи "стока" - на транзисторе напряжение выше, чем когда резистор в цепи "истока". Но всё равно есть вопросы к внутреннему сопротивлению этого транзистора. Должно быть одинаковое падение напряжения, слева и справа на схеме, но здесь у транзистора почему-то ниже.

Прикреплённый файл:

---

  сопротивление транзистора.gif (12.42 KB)

Что-то ты не то мерял, я кстати тоже в предыдущей схеме ошибся, нельзя в истоковую цепь (та что внизу) ставить резистор, ибо он забирает на себя часть напряжения, необходимого для открывания транзистора.
Rds(on) = 0.13/4.37=0.03 ома.

Прикреплённый файл:

---

  2.jpg (166.30 KB)

Спасибо за разъяснение насчёт коэффициента. Вряд ли Протеус урезанный. Я смоделировал схему с этой моделью транзистора, где напряжение питания 4,5В, а ток в цепи стока 4А, на истоке резистор к земле, согласно условиям графика из даташита. Замерил падение напряжения на транзисторе между стоком и истоком. Дальше по закону Ома: это напряжение на транзисторе (исток-сток) делю на ток (4А) и получаю эти самые 0,41 Ома. А больше никак, других настроек по редактированию транзистора я не нахожу.
А что касается заявленных на первой странице даташита RDS(on)=0,045 Ом, то в Протеусе напряжение между истоком-стоком должно показывать ноль, но это не так. Если бы сравнить с реальным транзистором, но такой возможности нет.

https://community.infineon.com/t5/MOSF ... RDS-on-graph/td-p/345877#.

Это у Infineon не сопротивление, а коэффициент для стандартного Rds(on) при 25°.
Цитата:
это где посмотреть? Или у меня Протеус урезанный... не нашел, где редактировать можно параметры транзисторов....

Вопрос интересный и вот что я понял, если конечно правильно. В даташит IRLML2502TR на первой странице заявлено: RDS(on) = 0.045Ω
На графике Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature показано: RDS(on), Drain-to-Source On Resistance (Normalized) от 0,75 Ом до 1,6 Ом при температуре от -60 до +160 градусов по Цельсию.
Я не очень понимаю откуда RDS(on) = 0.045Ω, не понятно. Здесь вопрос к составителям дататшита.
В Протеусе сопротивление RDS(on)=0,41 Ома, что вне графика даташита, здесь вопрос к разработчикам модели транзистора.
Вывод: измерения в симуляторе далеки от даташита.

Прикреплённый файл:

---

  IRML2502.gif (18.19 KB)

На полевом транзисторе может 1,1 Вольт падать? Или опять протеус пургу гонит?

Прикреплённый файл:

---

  1.jpg (86.38 KB)

Быстрая проверка биполярных и полевых транзисторов
Новое:
- обучен отдельно распознавать биполярные и полевые транзисторы;
- сделан раздельной вывод информации;
- изменено сообщение в случае неисправного транзистора или плохого контакта;
- добавлено приветствие и сокращённая ссылка на данный проект.

Прикреплённый файл:

---

  Raschet KPT.gif (53.18 KB)

Raschet KPT v1.1.zip Размер: 166.73 KB; Просмотры: 9

Подозреваю, что в моделях график зависимостей строится не по даташитам, а по формуле функции отдалённо напоминающий реальный график зависимости. Иначе модель в симуляторе будет работать с большим трудом перебирая массив каждой зависимости. Вот отсюда и получается несоответствие.