Отправил an.Дата добавления 08.09.2009 (1373 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Это интересно. Если надо паять нихромовую проволоку - не соединений, работающих в невысоких температурах - можно легко облудить и пропаять соединение в обычной лимонной кислоте.