Отправил an.Дата добавления 10.09.2009 (4539 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling
Во время поиска небольших радиодеталей, упавших со стола, вероятность их обнаружения прямо пропорциональна размеру детали и обратно пропорциональна их значению для завершения работы