Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной технике, вторичных источниках постоянного тока и напряжения, ограничителях тока, средствах автоматизации и изготавливаемый для народного хозяйства
• аналог BSS131