Отправил an.Дата добавления 30.08.2009 (2832 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching
Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.