Отправил an.Дата добавления 01.09.2009 (1308 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Проблема координатного сверления корпусов при размещении в них плат решается путем сверления по шаблону. Шаблоном выступает сама плата с уже просверленными отверстиями.