НТЦ СИТ

Полное наименование предприятия:Закрытое акционерное общество "Научно-Технический Центр Схемотехники и Интегральных Технологий"

Сокращенное наименование предприятия: ЗАО "НТЦ Схемотехники и Интегральных Технологий"(ЗАО "НТЦ СИТ")

 Год основания: 1961 г.

 Форма собственности: Закрытое акционерное общество

История: ЗАО "НТЦ СИТ" является правопреемником ОКБ Микроэлектроники, созданного в 1961 г на Брянском заводе полупроводниковых приборов

Адрес предприятия: РОССИЯ, 241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, 103

Для писем: РОССИЯ, 241037, г. Брянск, а/я 2

 Численность персонала: 211 человек

Полное наименование вышестоящей организации: Холдинг ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Oсновная сфера деятельности:

• Разработка и производство интегральных схем и п/п, в том числе с рабочим диапазоном температур Т=-60…+125°С
• Разработка и производство силовых модулей, в том числе спецприменения
• Разработка и производство кремниевых структур с полной диэлектрической изоляцией компонентов (КСДИ), выдерживающей напряжение до 4000 В.

Основные направления разработок и производства в области ИС, п/п приборов и силовых модулей

• Электропитание:
  
  • ИС преобразователей и контроллеров АС-DC типа (сетевое питание)
  • ИС линейных стабилизаторов с малым падением напряжения (Low Drop Out) с фиксированным и регулируемым напряжением на выходе и током нагрузки от 0.5 до 5.0 А
  • ИС управления импульсными источниками питания с рабочей частотой до 100 кГц и с током нагрузки от 1.0 до 1.5 А
  • ИС ШИМ контроллеров двухтактных и однотактных с током нагрузки от 1.0 до 1.5 А и рабочей частотой от 500 до 1000 кГц
  • ИС операционных усилителей, компараторов, детекторов
• Системы ограничения доступа:
  
  • ИС кодовых ключей
• Освещение:
  
  • ИС контроллера регулировки яркости свечения
  • ИС контроллера люминесцентного и светодиодного освещения
• Автоэлектроника:
  
  • ИС контроллеров зажигания
• Устройства отображения информации:
  
  • DC-AC преобразователи
• Силовая электроника:
  
  • Сборки диодов Шоттки на рабочие токи до 50А и обратные напряжения до 800 В
  • транзисторы IGBT (БТИЗ - биполярные транзисторы с изолированным затвором) и диоды FRD (БВД - быстровосстанавливающиеся диоды) на рабочие токи до 100А и напряжения до 1200 В, 1800 В, 2500 В
  • Силовые модули на базе транзисторов IGBT (БТИЗ - биполярных транзисторов с изолированным затвором), диодов FRD (БВД - быстровосстанавливающихся диодов), UКЭмах = 1200 В, IКмах = 200; 300; 400 А и тиристорных, диодных, диодно-тиристорных модулей, трехфазных полумостов, а также диодных в быстровосстанавливающемся варианте на токи до 200А, в том числе спецназначения
• Микросхемы в металлокерамических и пластмассовых корпусах с рабочим диапазоном температур Т=-60...+125*С:
  
  • ШИМ-контроллеры
  • DC-DC - конвертеры
  • мощные составные ключи
  • линейные стабилизаторы напряжения Low Drop Out
  • операционные усилители
  • компараторы и др.

Основные направления разработок и производства в области корпусирования

• Освоение современных типов стеклокерамических и металлокерамических SMD-корпусов
• Корпуса для обычного монтажа следующих типов: DIP-8, DIP-16, DIP-18, ТО-92, ТО-251, ТО-220
• Мощные корпуса для обычного монтажа типов: PENTAWATT, MULTIWATT-15
• Корпуса для поверхностного монтажа типов: SOT-89, TO-252, ТО-263, DIP-8
• Корпуса для силовых модулей (герметичные и герметизированные)

Основные направления разработок и производства в области материалов

• КСДИ диаметром от 76 мм до 200 мм с прогибом не более 50 мкм и диэлектрической изоляцией компонентов с напряжением пробоя > 4000 В
• Структуры типа КНД (SOI) диаметром 100-150 мм с толщиной изолятора от 1 до 20 мкм и толщиной рабочего слоя от 3 до 200 мкм

 Освоение и выпуск ИЭТ перечисленных классор с приемкой ВП осуществляется в рамках нашей холдинговой компании ЗАО "ГРУППА-КРЕМНИЙ ЭЛ"

Мы готовы к сотрудничеству в различных формах в разработке, производстве и дальнейшей поставке микросхем, полупроводниковых приборов, силовых модулей, КСДИ и КНД в интересах наших потребителей, в том числе замещению импортных аналогов.