Цитата:
Вот за это СПАСИБО! Помогло. А я никак не мог их убрать. В Протусе 8 есть эта опция в свойствах отдельного элемента на схеме, а в этом v7.1 нет, только через template.

Цитата:
Неправильную работу компонентов они и сами признают, например здесь, но не напрямую пишут, а таким образом, мол один и тот же компонент, может вести себя правильно в одном проекте и... (вот тут прямо бы им сказать понятно что не работает) требует дополнительного внимания в других проектах. Дальше они ссылаются, на то что следите за обновлением компонентов. Мол новые - более переработанные и приближённые к реальным. А с теми моделями, что вы сейчас работаете, они нормальные, так как... одобрены компаниями. Мол все претензии к ним.
Вот и получается, что любой симулятор не отражает реальные электрические величины, а лишь создаёт упрощённую математическую модель, где есть много неизвестных, неучтённых нюансов. Но если учесть все нюансы реальной модели, то с такой симуляцией справится разве что квантовый компьютер.

Там тупо несоответствие даташиту, в даташите на CD4017 чуть ли не график зависимости напряжения от тока приведен.

Подозреваю, что в моделях график зависимостей строится не по даташитам, а по формуле функции отдалённо напоминающий реальный график зависимости. Иначе модель в симуляторе будет работать с большим трудом перебирая массив каждой зависимости. Вот отсюда и получается несоответствие.

На полевом транзисторе может 1,1 Вольт падать? Или опять протеус пургу гонит?

Прикреплённый файл:

---

  1.jpg (86.38 KB)

Вопрос интересный и вот что я понял, если конечно правильно. В даташит IRLML2502TR на первой странице заявлено: RDS(on) = 0.045Ω
На графике Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature показано: RDS(on), Drain-to-Source On Resistance (Normalized) от 0,75 Ом до 1,6 Ом при температуре от -60 до +160 градусов по Цельсию.
Я не очень понимаю откуда RDS(on) = 0.045Ω, не понятно. Здесь вопрос к составителям дататшита.
В Протеусе сопротивление RDS(on)=0,41 Ома, что вне графика даташита, здесь вопрос к разработчикам модели транзистора.
Вывод: измерения в симуляторе далеки от даташита.

Прикреплённый файл:

---

  IRML2502.gif (18.19 KB)

https://community.infineon.com/t5/MOSF ... RDS-on-graph/td-p/345877#.

Это у Infineon не сопротивление, а коэффициент для стандартного Rds(on) при 25°.
Цитата:
это где посмотреть? Или у меня Протеус урезанный... не нашел, где редактировать можно параметры транзисторов....

Спасибо за разъяснение насчёт коэффициента. Вряд ли Протеус урезанный. Я смоделировал схему с этой моделью транзистора, где напряжение питания 4,5В, а ток в цепи стока 4А, на истоке резистор к земле, согласно условиям графика из даташита. Замерил падение напряжения на транзисторе между стоком и истоком. Дальше по закону Ома: это напряжение на транзисторе (исток-сток) делю на ток (4А) и получаю эти самые 0,41 Ома. А больше никак, других настроек по редактированию транзистора я не нахожу.
А что касается заявленных на первой странице даташита RDS(on)=0,045 Ом, то в Протеусе напряжение между истоком-стоком должно показывать ноль, но это не так. Если бы сравнить с реальным транзистором, но такой возможности нет.

Что-то ты не то мерял, я кстати тоже в предыдущей схеме ошибся, нельзя в истоковую цепь (та что внизу) ставить резистор, ибо он забирает на себя часть напряжения, необходимого для открывания транзистора.
Rds(on) = 0.13/4.37=0.03 ома.

Прикреплённый файл:

---

  2.jpg (166.30 KB)

Согласен. Если резистор в цепи "стока" - на транзисторе напряжение выше, чем когда резистор в цепи "истока". Но всё равно есть вопросы к внутреннему сопротивлению этого транзистора. Должно быть одинаковое падение напряжения, слева и справа на схеме, но здесь у транзистора почему-то ниже.

Прикреплённый файл:

---

  сопротивление транзистора.gif (12.42 KB)