Отправил alexfloka.Дата добавления 28.06.2010 (5511 прочтений)
Транзисторная оптопара с высоким напряжением коммутации.
Оптопара состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого высоковольтного n-p-n фототранзистора. Кристаллы расположены "лицом-к-лицу", что обеспечивает высокий коэффициент оптической связи.Благодаря специальной конструкции фототранзистора оптопара имеет высокое быстродействие в ключевом режиме работы при Rн=5 кОм. Поставляется в корпусах DIP4 и DIP4SMD.
Особенности Применение
предельное Uк-э 200 В изолированный интерфейс напряжение изоляции 5000 В промышленная автоматика коэффициент передачи не менее 20% замена импульсных трансформаторов
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .