Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.Предназначены для использования в источникахвторичного электропитания с бестрансформаторным входом,в регуляторах,стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре,изготавливаемый для народного хозяйства
• аналог BSS88