Даташиты

Если Вы ищете документацию на какую-либо микросхему, описание какого-либо транзистора, то в данном разделе Вы можете её скачать.

В сети

Пользователей: 218
Из них просматривают:
Аналоги: 86. Даташиты: 77. Инструкции: 2. Новости: 11. Остальное: 11. Программы: 1. Производители: 1. Профиль пользователя: 3. Расчёты: 1. Теги: 2. Форум: 23.
Участников: 2
Гостей: 216

Google , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Контроллеры, Интерфейсы : IR11682S
Отправил MACTEP. Дата добавления 07.11.2013 (1609 прочтений)

DUAL SmartRectifierTM DRIVER IC

Features
· Secondary-side high speed controller for synchronous rectification in resonant half bridge topologies
· 200V proprietary IC technology
· Max 400KHz switching frequency
· Anti-bounce logic and UVLO protection
· 4A peak turn off drive current
· Micropower start-up & ultra low quiescent current
· 10.7V gate drive clamp
· 80ns turn-off propagation delay
· Wide Vcc operating range
· Direct sensing for both Synchronous Rectifiers
· Cycle by Cycle MOT Check Circuit prevents multiple false trigger GATE pulses
· Minimal component count
· Simple design
· Lead-free

Typical Applications
· LCD & PDP TV, Telecom SMPS, AC-DC adapters

Description
IR11682 is a dual smart secondary-side rectifier driver IC designed to drive two N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in resonant converter applications. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The drain to source for each rectifier MOSFET voltage is sensed differentially to determine the level of the current and the power switch is turned ON and OFF in close proximity of the zero current transition. The anti shoot-through logic prevents both channels from turning on the power switches at the same time. The cycle-by-cycle MOT protection circuit can automatically detect no load condition and turn off gate driver output to avoid negative current flowing through the MOSFETs. Ruggedness and noise immunity are accomplished using an advanced blanking scheme and double-pulse suppression that allows reliable operation in fixed and variable frequency applications.

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм
Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.

Случайные новости