Отправил an.Дата добавления 30.08.2009 (1698 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
Выходные каскады УНЧ бывают разных типов и не всегда есть возможность осуществить первое включение без оконечного каскада. В этом случае возможна замена низкоомных токоизмерительных резисторов на номиналы 5-10 Ом.