Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1267 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Выходные каскады УНЧ бывают разных типов и не всегда есть возможность осуществить первое включение без оконечного каскада. В этом случае возможна замена низкоомных токоизмерительных резисторов на номиналы 5-10 Ом.