Даташиты

Если Вы ищете документацию на какую-либо микросхему, описание какого-либо транзистора, то в данном разделе Вы можете её скачать.

В сети

Пользователей: 151
Из них просматривают:
Аналоги: 83. Даташиты: 19. Инструкции: 3. Кроссворд: 1. Новости: 1. Остальное: 4. Программы: 1. Производители: 3. Профиль пользователя: 5. Теги: 2. Форум: 29.
Участников: 2
Гостей: 149

Google , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Контроллеры, Интерфейсы : IR1169S
Отправил MACTEP. Дата добавления 07.11.2013 (1815 прочтений)

ADVANCED SMARTRECTIFIERTM CONTROL IC

Features
• Secondary side high speed SR controller
• Flyback, Forward and Half-bridge topologies
• CCM operation with SYNC function
• 200V proprietary IC technology
• Max 500KHz switching frequency
• Anti-bounce logic and UVLO protection
• 4A peak turn off drive current
• Micropower start-up & low quiescent current
• 10.7V gate drive clamp
• 50ns turn-off propagation delay
• Vcc range from 11V to 20V
• Enable function synchronized with MOSFET VDS transition
• Cycle by Cycle MOT Check Circuit prevents multiple false trigger GATE pulses
• Lead-free
• Compatible with 0.3W Standby, Energy Star, CECP, etc.

Description
IR1169 is a smart secondary-side driver IC designed to drive N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in isolated Flyback, Forward or Half-bridge converters. The IC can control one or more paralleled N-MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. IR1169 works in both DCM and CCM operation modes. The SYNC pin should be used in CCM mode to directly turn-off the MOSFET by a signal from secondary or primary controller. The IC is designed to use simple capacitor coupling interface to communicate with primary controller. In addition to the SYNC control, the drain to source voltage is sensed differentially to determine the polarity of the current and turn the power switch on and off in proximity of the zero current transition. Ruggedness and noise immunity are accomplished using an advanced blanking scheme and double-pulse suppression which allow reliable operation in all operating modes.

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .

Случайные новости

[22.10.2018] Радиолюбитель
Журнал Радиолюбитель №10 2018г
[13.06.2014] Prakticka Elektronika
Prakticka Elektronika №6 2014
[03.01.2013] Радиоконструктор
Журнал Радиоконструктор №10 2012г
[20.11.2012] Prakticka Elektronika
Prakticka Elektronika №10 2012
[22.07.2011] Nuts And Volts
Nuts and Volts №7 2011
[06.05.2011] Радиоконструктор
Журнал Радиоконструктор №2 2011
[20.02.2011] Радиосхема
Журнал Радиосхема №03-2010
[12.03.2009] Для дома и быта
Энергосберегающие лампы. Ремонт.
[06.09.2008] Схемотехника
Журналы Схемотехника 2007 год