Отправил an.Дата добавления 01.09.2009 (1411 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .