Отправил an.Дата добавления 11.09.2009 (1434 прочтений)
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel DPAK Avalanche Energy Specified Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
Во время поиска небольших радиодеталей, упавших со стола, вероятность их обнаружения прямо пропорциональна размеру детали и обратно пропорциональна их значению для завершения работы