Отправил an.Дата добавления 11.09.2009 (1435 прочтений)
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel DPAK Avalanche Energy Specified Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
При первом включении после ремонта (для двухтактных УНЧ): 1. в разрыв "+" и "_" резисторы около 100 Ом для ограничения тока в случае не полного устранения неисправности.