Отправил an.Дата добавления 11.09.2009 (1405 прочтений)
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel DPAK Avalanche Energy Specified Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .