Отправил an.Дата добавления 09.09.2009 (1416 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated
Во время поиска небольших радиодеталей, упавших со стола, вероятность их обнаружения прямо пропорциональна размеру детали и обратно пропорциональна их значению для завершения работы