Отправил MACTEP.Дата добавления 18.10.2009 (1953 прочтений)
Medium-Power Complementary Silicon Transistors .. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain— hFE = 6000 (Тур) @ Ic = 3.0Adc • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Выходные каскады УНЧ бывают разных типов и не всегда есть возможность осуществить первое включение без оконечного каскада. В этом случае возможна замена низкоомных токоизмерительных резисторов на номиналы 5-10 Ом.