Отправил MACTEP.Дата добавления 18.10.2009 (1959 прочтений)
Medium-Power Complementary Silicon Transistors .. . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain— hFE = 6000 (Тур) @ Ic = 3.0Adc • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Проблема координатного сверления корпусов при размещении в них плат решается путем сверления по шаблону. Шаблоном выступает сама плата с уже просверленными отверстиями.