Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1538 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.