Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1754 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS Low Charge and Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Это интересно. Если надо паять нихромовую проволоку - не соединений, работающих в невысоких температурах - можно легко облудить и пропаять соединение в обычной лимонной кислоте.