Технологический центр
Научно-исследовательская, проектная и производственная база
1. Площадь помещений полупроводникового производства, м2 2200 в том числе класса "100" 1000 (обеспечены энергетической cтруктурой и системой мониторинга микроклимата);
2. Технологический возможности:
- изготовление фотошаблонов;
- изготовление пластин по технологиям КМОП БИС (1,2 мкм), биполярные БИС(1,5 мкм), тензорезистивные микродатчики (3, мкм) для серийного производства и ОКР, технологии КМОП, Бип, КБиМОП (1,0 мкм) для исследований;
3. Производственные возможности - до 2000 пластин диаметром 100 мм в месяц. Кристальное производство аттестовано на право изготовления изделий специального назначения (Свидетельство об аттестации №МО 024 от 8.12.97);
4. Сборка - металлокерамические корпуса для БИС, корпуса собственной разработки для микродатчиков. В настоящее время действует комплексная программа подготовки НПК ТЦ к аттестации системы гарантии качества на соответствие стандарту ISO 9001-1994 (Модель обеспечения качества при проеатировании, разработке, производстве, монтаже и обслуживании);
5. Измерения пластин, микросхем, микросенсоров:
- НР 82000
- АИК ТЕСТ2 - 2 шт.
- комплекты измерительной и испытательной аппаратуры для СБИС и полупроводниковых сенсоров;
6. Исследования физической структуры и электрофизических характеристик БИС:
- просвечиваюшая и растровая электронная микроскопия с получением компьтерных файлов изображения;
- НР 4145А - аналитические измерения ВАХ;
- установка электронно-лучевого тестирования ЕВ Tester "Advantest" (ЕВ 1340);
7. Средства САПР и информационно-вычислительные системы:
- рабочие станции и персональные компьютеры (уровня Pentium) - свыше 100 шт.
в том числе серверы 3 шт.
- все компьютеры объединены в локальную сеть с выходом в ИНТЕРНЕТ по радиоканалу 2 Мбит/сек.
- САПР БИС СОМРАSS, CADENCE, "Ковчег".
- САПР ПЛИС .Altera, Xilinx.
- САПР приборно-технологического моделирования ISE TCAD;
Адрес
124498, г. Москва, г. Зеленоград, проезд 4806, д.5, к. 7237
НПК "Технологический центр"
