В сети
Пользователей: 215 Из них просматривают: Аналоги: 64. Даташиты: 100. Инструкции: 5. Новости: 12. Остальное: 11. Ошибки: 1. Программы: 3. Производители: 2. Профиль пользователя: 2. Расчёты: 1. Торрент: 1. Форум: 12. Чат: 1.
Участников: 5
Гостей: 210
an , Draken , Google , jonni29 , Яндекс ,
далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.
|
Написал MACTEP в 31.01.2010 23:10:00
( 47931 прочтений)
Измерение сопротивлений следует производить только при обесточенных цепях. Этим обеспечивается правильность результатов измерений и исключается возможность повреждения прибора.
Измерение сопротивлений производится при помощи: - встроенного сухого элемента 1,5 В на пределах X1, Х10, Х100; - двух элементов по 1,5 В на пределе Х1000; - внешнего источника постоянного напряжения 24—30 В на пределе X10000. При помощи встроенных сухих элементов измерение производится следующим образом: а) переключатель вид работ находится в положении «IUR», переключатель род тока установить в положение «—» (постоянный ток), дисковый переключатель — на требуемый предел измерения (положение переключателей: тип транзистора и цепь транзистора — безразлично); б) замкнуть общие клеммы «—» и « + »; в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» (резистор переменный R7) на нуль по шкале омметра; г) разомкнуть клеммы «—» и « + », подключить к ним измеряемое сопротивление и произвести отсчет по шкале омметра. Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на множитель применяемого предела измерения. При помощи внешнего источника постоянного напряжения измерение производится следующим образом: а) установить предел измерения X10000 (остальные переключатели остаются в том же положении); б) подключить к общим зажимам «—» и « + » источник постоянного напряжения 24—30 В; в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» на нуль по шкале омметра; г) отсоединить источник от зажима « + » и включить измеряемое сопротивление (рис. 2).
Рис. 2.
Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на X10000. С целью удлинения срока службы элементов 332 не рекомендуется излишне долго держать свободные штепсельные концы проводов прибора подключенными к измеряемому сопротивлению или замкнутыми между собой накоротко. 6.3. Измерение параметров транзистора. Отсчет при измерении параметров транзисторов производится при установке переключателя вид работ в положение транзистор. 6.3.1. Измерение IКО. Обратный ток коллекторного перехода измеряется по схеме (рис. 3) с разомкнутой цепью эмиттера. Рис. 3.
Установить следующее положение переключателей: - тип транзистора — согласно типу проверяемого транзистора; - цепь транзистора в положение «IК»; - род тока — в положение «—»; - дисковый — в положение «IКО». Проверяемый транзистор устанавливается в соответствии с маркировкой клемм (Э, К, Б, Э) — коллектор к клемме «К», база к клемме «Б». Эмиттерный вывод не подключается. Стрелка измерительного прибора показывает IКО на пределе 100 мкА. 6.3.2. Измерение IЭО. Обратный ток эмиттерного перехода измеряется по схеме (рис. 4) с разомкнутой цепью коллектора. Рис. 4.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База транзистора подключается к клемме «Б», эмиттер к клемме «К». Коллекторный вывод не подключается. При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IЭО на пределе 100 мкА. 6.3.3. Измерение IКН. Начальный ток коллектора измеряется в схеме с общим эмиттером при нулевом напряжении между эмиттером и базой (база соединена с эмиттером) (рис. 5). Рис. 5.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База и эмиттер транзистора подключается к клемме «Б», коллектор — к клемме «К». При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IКН на пределе 100 мкА. 6.3.4. Определение статического коэффициента усиления. При определении статического коэффициента усиления «β» выводы транзистора подключаются к клеммам Э, К, Б или К, Б, Э (в зависимости от расположения выводов) (рис. 6). При измерении необходимо учесть проводимость транзистора (p-n-p или n-p-n). Статический коэффициент усиления В определяется по формуле: где IК1 — ток коллектора при токе базы IБ1; IК2 — ток коллектора при токе базы IБ2 Дисковый переключатель устанавливается в положение «Iб —Iк», переключатель цепь транзистора в положение «Iб ». положение остальных переключателей остается, как при измерении IКО. Измерение производить в следующем порядке: Задать такую величину тока базы, при которой удобно определить ток коллектора (около 50 мкА). Для измерения тока коллектора переключатель Iб —Iк следует установить в положение Iк. Величина тока коллектора определяется по верхней шкале показывающего прибора. При этом конечное значение шкалы соответствует 10 мА. Далее переключатель Iб—Iк снова переключают в положение Iб и увеличивают ток базы на 20÷40 мкА. При последующем переключении Iб— Iк в положение Iк снова определяется величина тока коллектора. Пример: При измерении получены следующие данные: IБ1 =50 мкА IК1 =2,6 мА IБ2 =80 мкА IК2 =4,4 мА Вычисляем: 1.Разницу токов ?Iб= IБ2 - IБ1 =80-50=30 (мкА) ?Iк= IК2 - IК1 =4,4-2,6=1,8 (мА) = 1800 (мкА) 2. Определяем коэффициент усиления 
При всех измерениях параметров транзисторов отсчет производится по верхней шкале. Рис. 6.
п.с. Если у кого завалялся "убитый" тестер ТЛ-4М, можете попробовать восстановить. 
Схема тестера ТЛ-4М ПЕРЕЧЕНЬ элементов к схеме принципиальной электрической прибора ТЛ-4М Обозначение позиции | Наименование и тип | Основные данные номинала | Количество | Примечание | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | R1 | Резистор МЛТ-0,5-10 кОм ±10% | 10 кОм ±10% | 1 | | R2 | Резистор СПО-0,5-100 кОм ±20%-ОС-3-20 | 100 кОм ±20% | 1 | | RЗ | Резистор прополочный | 40 Ом ±0,4 | 1 | | R4 | Резистор МЛТ-0,5-1,5 кОм ±10% | 2,95 кОм ±0,1% | 2 | Последовательно | R5 | МЛТ-0,5-1 кОм ±5% | 1 кОм ±5% | 1 | | R6 | Резистор проволочный | См. примечание | 1 | | R7 | СПО-0,5-4,7 кОм ±20%-ОС-3-20 | 4,7 кОм ±20% | 1 | | R8 | МЛТ-0,5-100 кОм ±10% | 197 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R9 | МЛТ-0,5-9,1 кОм ±5% | 18,2 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R10 | МЛТ-0,5-2,4 кОм ±5% | 4,8 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R11 | МЛТ-0,5-470 Ом ±10% | 964 Ом ±1% | 2 | Последовательно | R12 | МЛТ-0,5-560 ОМ ±10% | | 1 | Последовательно | | МЛТ-0,5-510 Ом ±5% | 1,08 кОм ±1% | 1 | | R13 | МЛТ-0,5-43 Ом ±5% | | 1 | Последовательно | | МЛТ-0,5-39 Ом ±10% | 82 Ом ±1% | 1 | | R14 | МЛТ-0,5-51 Ом ±5% | | 1 | Последовательно | | МЛТ-0,5-56 Ом ±10% | 108 Ом ±1% | 1 | | R15 | Резистор проволочный | 6,9 Ом ±1% | 1 | | R16 | Резистор проволочный | 12 Ом ±1% | 1 | | R17 | Резистор проволочный | 0,3 Ом ±0,2% | 1 | | R18 | Резистор проволочный | 2,7 Ом ±0,4% | 1 | | R19 | Резистор проволочный | 27 Ом ±0,4% | 1 | | R20 | Резистор проволочный | 270 Ом ±0,4% | 1 | | R21 | Резистор проволочный | 600 Ом ±0,4% | 1 | | R22 | Резистор проволочный | 2,1 кОм ±0.4% | 1 | | R23 | Резистор проволочный | 4,92 кОм ±1% | 1 | | R24 | МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10% | | | Последовательно | | МЛТ-0,5-470 Ом ±10% | 1,66 кОм ±1% | | | R25 | МЛТ-0,5-3,6 МОм ±5% | 7,2 МОм ±1% | 2 | Последовательно | R26 | МЛТ-0,5-1 МОм ±10% | 2 МОм ±1% | 2 | Последовательно | R27 | МЛТ-0,5-360 кОм ±5% | 700 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R28 | МЛТ-0,5-100 кОм±10% | 200 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R29 | МЛТ-0,5-36 кОм ±5% | 70 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R30 | МЛТ-0,5-10 кОм ±10% | 20 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R31 | МЛТ-0,5-3,9 кОм ±10% \ | | 1 | | | МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5% | 9 кОм ±1% | 1 | Последовательно | R32 | МЛТ-0,5-1,5 МОм ±10% | 3,055 МОм ±1% | 2 | Последовательно | RЗЗ | МЛТ-0,5-430 кОм ±5% | 860 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R34 | МЛТ-0,5-150 КОм ±10% | 306 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R35 | МЛТ-0,5-51 кОм ±5% | 87,15 кОм ±1% | 1 | | | МЛТ-0,5-36 кОм ±5% | | 1 | Последовательно | R36 | МЛТ-0,5-15 кОм ±10% | 30,67 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R37 | МЛТ-0,5-3,6 кОм +5% | | 1 | | | МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5% | 8,78 кОм ±1% | 1 | Последовательно | R38 | МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10% | 2,4 кОм ±1% | 2 | Последовательно | R39 | СПО-0.5-330 Ом +_20%-ОС-3-12 | 330 Ом ±20% | 1 | | | | | | | Д1 | Диод полупроводниковый Д9В | | 1 | | Д2 | Д9В | | 1 | | ДЗ | Д206 | | 1 | | Д4 | Д206 | | 1 | | | | | | | Е1 | Сухой элемент 332 (R10) | | 1 | | Е2 | Сухой элемент 332 (R10) | | 1 | | μА | Микроамперметр | 100 мкА | 1 | |
ПРИМЕЧАНИЯ:
| 1. Резистор R6 подбирается таким образом, чтобы суммарное сопротивление резистора R6 и микроамперметра μА было 1000 Ом | | ±0,5%. | | 2. Взамен указанных элементов допускается применять другие типы элементов, не ухудшающие работоспособности прибора. |
Комментарии принадлежат их авторам. Мы не несем ответственности за их содержание.
Разное
Можно использовать оплетку телевизионного кабеля абонентского подключения ТВ в многоэтажных домах для заземления.
|
Интересно
Крупную деталь можно паять и обычным паяльником (25-40 Вт), если разогреть ее, например, на газовой плите.
|
|
|