Даташиты

Если Вы ищете документацию на какую-либо микросхему, описание какого-либо транзистора, то в данном разделе Вы можете её скачать.

В сети

Пользователей: 192
Из них просматривают:
Аналоги: 35. Даташиты: 39. Инструкции: 1. Новости: 14. Остальное: 2. Программы: 1. Производители: 2. Профиль пользователя: 25. Форум: 73.
Участников: 2
Гостей: 190

Google , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Транзисторы : 2N5877, 2N5878
Отправил foobar. Дата добавления 16.09.2009 (1709 прочтений)

. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
Low Leakage Current — ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage
Excellent DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
High Current Gain

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .