Даташиты

Если Вы ищете документацию на какую-либо микросхему, описание какого-либо транзистора, то в данном разделе Вы можете её скачать.

В сети

Пользователей: 87
Из них просматривают:
Аналоги: 29. Даташиты: 45. Инструкции: 1. Новости: 1. Остальное: 1. Форум: 9. Чат: 1.
Участников: 3
Гостей: 84

an , Google , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Транзисторы : 2N5877, 2N5878
Отправил foobar. Дата добавления 16.09.2009 (1776 прочтений)

. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
Low Leakage Current — ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage
Excellent DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
High Current Gain

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .

Случайные новости

[28.11.2013] Nuts And Volts
Nuts and Volts №12 2013
[16.08.2012] Радиоконструктор
Радиоконструктор №6 2012
[26.10.2009] Технические средства
Процесс создания чипа
[13.09.2009] Радиосхема
Журнал Радиосхема №04-2009
[06.12.2008] Правила, инструкции, справки
Облако тегов