Отправил foobar.Дата добавления 16.09.2009 (1709 прочтений)
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications. Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc Low Leakage Current — ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage Excellent DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc High Current Gain
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .