Отправил an.Дата добавления 01.09.2009 (3857 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
Храните микросхемы в упаковке, обеспечивающей закорачивание их выводов, например, завернутыми в алюминиевую фольгу. При переноске не касайтесь выводов микросхемы, берите за корпус, иначе ваше статическое электричество может повредить микросхему.