Искра

«ОКБ «Искра» имеет 30-летний опыт разработок силовых полупроводниковых приборов.

ОАО «ОКБ «Искра» специализируется на разработке и промышленном выпуске силовых высоковольтных транзисторов, транзисторных модулей, диодов и мощной преобразовательной техники для оборонного комплекса и народного хозяйства Российской Федерации.

В последние годы ОАО «ОКБ «Искра» в кооперации с ведущим предприятием России в области микроэлектроники ОАО «Ангстрем» выполнило ряд НИОКР по одному из самых перспективных направлений силовой электроники — элементной базе силовой электроники, а именно: мощным полевым транзисторам с изолированным затвором (MOSFET), биполярным транзисторам с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающимся диодам (FRED) как в дискретном, так и в модульном исполнении для интеллектуальной преобразовательной техники, высокочастотных, высокоэффективных импульсных источников питания, частотно-регулируемого электропривода, систем индукционного нагрева, сварки и других применений в интересах ВПК и других секторов экономики России.

С целью расширения рынка ЭКБ силовой электроники, расширения и обновления номенклатуры ЭКБ осуществляется разработка и производство новой корпусной базы — металлокерамических ВЧ-корпусов с безиндуктивными выводами, корпусов для поверхностного монтажа (по типу SMD), корпусов модульного исполнения и микросборок.

Важным направлением развития ОАО «ОКБ «Искра» является разработка и изготовление широкой гаммы преобразовательной техники для индукционного нагрева с использованием собственных высокочастотных преобразователей, выполненных на современных IGBT и МОSFET-модулях, ВЧ-тиристорах (тиристорных модулях), с использованием современной схемотехники и конструкционных элементов. На базе этих преобразователей создаются системы индукционного нагрева с мощностью от 3 до 320 кВт и частотой преобразования от 1 кГц до 66 кГц и более, позволяющие с высокой эффективностью проводить объемную и приповерхностную термообработку металлов, плавку и другие технологические процессы.