Измерение сопротивлений следует производить только при обесточенных цепях. Этим обеспечивается правильность результатов измерений и исключается возможность повреждения прибора.
Измерение сопротивлений производится при помощи:
- встроенного сухого элемента 1,5 В на пределах X1, Х10, Х100;
- двух элементов по 1,5 В на пределе Х1000;
- внешнего источника постоянного напряжения 24—30 В на пределе X10000.
При помощи встроенных сухих элементов измерение производится следующим образом:
а) переключатель вид работ находится в положении «IUR», переключатель род тока установить в положение «—» (постоянный ток), дисковый переключатель — на требуемый предел измерения (положение переключателей: тип транзистора и цепь транзистора — безразлично);
б) замкнуть общие клеммы «—» и « + »;
в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» (резистор переменный R7) на нуль по шкале омметра;
г) разомкнуть клеммы «—» и « + », подключить к ним измеряемое сопротивление и произвести отсчет по шкале омметра. Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на множитель применяемого предела измерения.
При помощи внешнего источника постоянного напряжения измерение производится следующим образом:
а) установить предел измерения X10000 (остальные переключатели остаются в том же положении);
б) подключить к общим зажимам «—» и « + » источник постоянного напряжения 24—30 В;
в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» на нуль по шкале омметра;
г) отсоединить источник от зажима « + » и включить измеряемое сопротивление (рис. 2).
Рис. 2.
Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на X10000.
С целью удлинения срока службы элементов 332 не рекомендуется излишне долго держать свободные штепсельные концы проводов прибора подключенными к измеряемому сопротивлению или замкнутыми между собой накоротко.
6.3. Измерение параметров транзистора. Отсчет при измерении параметров транзисторов производится при установке переключателя вид работ в положение транзистор. 6.3.1. Измерение IКО. Обратный ток коллекторного перехода измеряется по схеме (рис. 3) с разомкнутой цепью эмиттера.
Рис. 3.
Установить следующее положение переключателей:
- тип транзистора — согласно типу проверяемого транзистора;
- цепь транзистора в положение «IК»;
- род тока — в положение «—»;
- дисковый — в положение «IКО».
Проверяемый транзистор устанавливается в соответствии с маркировкой клемм (Э, К, Б, Э) — коллектор к клемме «К», база к клемме «Б». Эмиттерный вывод не подключается. Стрелка измерительного прибора показывает IКО на пределе 100 мкА.
6.3.2. Измерение IЭО.
Обратный ток эмиттерного перехода измеряется по схеме (рис. 4) с разомкнутой цепью коллектора.
Рис. 4.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База транзистора подключается к клемме «Б», эмиттер к клемме «К». Коллекторный вывод не подключается. При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IЭО на пределе 100 мкА.
6.3.3. Измерение IКН. Начальный ток коллектора измеряется в схеме с общим эмиттером при нулевом напряжении между эмиттером и базой (база соединена с эмиттером) (рис. 5).
Рис. 5.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База и эмиттер транзистора подключается к клемме «Б», коллектор — к клемме «К».
При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IКН на пределе 100 мкА.
6.3.4. Определение статического коэффициента усиления. При определении статического коэффициента усиления «β» выводы транзистора подключаются к клеммам Э, К, Б или К, Б, Э (в зависимости от расположения выводов) (рис. 6). При измерении необходимо учесть проводимость транзистора (p-n-p или n-p-n). Статический коэффициент усиления В определяется по формуле: где IК1 — ток коллектора при токе базы IБ1; IК2 — ток коллектора при токе базы IБ2 Дисковый переключатель устанавливается в положение «Iб —Iк», переключатель цепь транзистора в положение «Iб ». положение остальных переключателей остается, как при измерении IКО. Измерение производить в следующем порядке: Задать такую величину тока базы, при которой удобно определить ток коллектора (около 50 мкА). Для измерения тока коллектора переключатель Iб —Iк следует установить в положение Iк. Величина тока коллектора определяется по верхней шкале показывающего прибора. При этом конечное значение шкалы соответствует 10 мА. Далее переключатель Iб—Iк снова переключают в положение Iб и увеличивают ток базы на 20÷40 мкА. При последующем переключении Iб— Iк в положение Iк снова определяется величина тока коллектора. Пример: При измерении получены следующие данные: IБ1 =50 мкА IК1 =2,6 мА IБ2 =80 мкА IК2 =4,4 мА Вычисляем: 1.Разницу токов ?Iб= IБ2 - IБ1 =80-50=30 (мкА) ?Iк= IК2 - IК1 =4,4-2,6=1,8 (мА) = 1800 (мкА) 2. Определяем коэффициент усиления
При всех измерениях параметров транзисторов отсчет производится по верхней шкале.
Рис. 6.
п.с. Если у кого завалялся "убитый" тестер ТЛ-4М, можете попробовать восстановить.
Схема тестера ТЛ-4М
ПЕРЕЧЕНЬ элементов к схеме принципиальной электрической прибора ТЛ-4М
Обозначение позиции |
Наименование и тип |
Основные данные номинала |
Количество |
Примечание |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
R1 | Резистор МЛТ-0,5-10 кОм ±10% | 10 кОм ±10% | 1 | |
R2 | Резистор СПО-0,5-100 кОм ±20%-ОС-3-20 | 100 кОм ±20% | 1 | |
RЗ | Резистор прополочный | 40 Ом ±0,4 | 1 | |
R4 | Резистор МЛТ-0,5-1,5 кОм ±10% | 2,95 кОм ±0,1% | 2 | Последовательно |
R5 | МЛТ-0,5-1 кОм ±5% | 1 кОм ±5% | 1 | |
R6 | Резистор проволочный | См. примечание | 1 | |
R7 | СПО-0,5-4,7 кОм ±20%-ОС-3-20 | 4,7 кОм ±20% | 1 | |
R8 | МЛТ-0,5-100 кОм ±10% | 197 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R9 | МЛТ-0,5-9,1 кОм ±5% | 18,2 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R10 | МЛТ-0,5-2,4 кОм ±5% | 4,8 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R11 | МЛТ-0,5-470 Ом ±10% | 964 Ом ±1% | 2 | Последовательно |
R12 | МЛТ-0,5-560 ОМ ±10% | 1 | Последовательно | |
МЛТ-0,5-510 Ом ±5% | 1,08 кОм ±1% | 1 | ||
R13 | МЛТ-0,5-43 Ом ±5% | 1 | Последовательно | |
МЛТ-0,5-39 Ом ±10% | 82 Ом ±1% | 1 | ||
R14 | МЛТ-0,5-51 Ом ±5% | 1 | Последовательно | |
МЛТ-0,5-56 Ом ±10% | 108 Ом ±1% | 1 | ||
R15 | Резистор проволочный | 6,9 Ом ±1% | 1 | |
R16 | Резистор проволочный | 12 Ом ±1% | 1 | |
R17 | Резистор проволочный | 0,3 Ом ±0,2% | 1 | |
R18 | Резистор проволочный | 2,7 Ом ±0,4% | 1 | |
R19 | Резистор проволочный | 27 Ом ±0,4% | 1 | |
R20 | Резистор проволочный | 270 Ом ±0,4% | 1 | |
R21 | Резистор проволочный | 600 Ом ±0,4% | 1 | |
R22 | Резистор проволочный | 2,1 кОм ±0.4% | 1 | |
R23 | Резистор проволочный | 4,92 кОм ±1% | 1 | |
R24 | МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10% | Последовательно | ||
МЛТ-0,5-470 Ом ±10% | 1,66 кОм ±1% | |||
R25 | МЛТ-0,5-3,6 МОм ±5% | 7,2 МОм ±1% | 2 | Последовательно |
R26 | МЛТ-0,5-1 МОм ±10% | 2 МОм ±1% | 2 | Последовательно |
R27 | МЛТ-0,5-360 кОм ±5% | 700 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R28 | МЛТ-0,5-100 кОм±10% | 200 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R29 | МЛТ-0,5-36 кОм ±5% | 70 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R30 | МЛТ-0,5-10 кОм ±10% | 20 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R31 | МЛТ-0,5-3,9 кОм ±10% \ | 1 | ||
МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5% | 9 кОм ±1% | 1 | Последовательно | |
R32 | МЛТ-0,5-1,5 МОм ±10% | 3,055 МОм ±1% | 2 | Последовательно |
RЗЗ | МЛТ-0,5-430 кОм ±5% | 860 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R34 | МЛТ-0,5-150 КОм ±10% | 306 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R35 | МЛТ-0,5-51 кОм ±5% | 87,15 кОм ±1% | 1 | |
МЛТ-0,5-36 кОм ±5% | 1 | Последовательно | ||
R36 | МЛТ-0,5-15 кОм ±10% | 30,67 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R37 | МЛТ-0,5-3,6 кОм +5% | 1 | ||
МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5% | 8,78 кОм ±1% | 1 | Последовательно |
|
R38 | МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10% | 2,4 кОм ±1% | 2 | Последовательно |
R39 | СПО-0.5-330 Ом +_20%-ОС-3-12 | 330 Ом ±20% | 1 | |
Д1 | Диод полупроводниковый Д9В | 1 | ||
Д2 | Д9В | 1 | ||
ДЗ | Д206 | 1 | ||
Д4 | Д206 | 1 | ||
Е1 | Сухой элемент 332 (R10) | 1 | ||
Е2 | Сухой элемент 332 (R10) | 1 | ||
μА | Микроамперметр | 100 мкА | 1 |
|
1. Резистор R6 подбирается таким образом, чтобы суммарное сопротивление резистора R6 и микроамперметра μА было 1000 Ом |
|
±0,5%. |
||
2. Взамен указанных элементов допускается применять другие типы элементов, не ухудшающие работоспособности прибора. |