Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1549 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching
Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.