В радиотехнической литературе печаталось много различных схем квартирных звонков. Все они, как правило, воспроизводили только фрагменты мелодий и подражали пению птиц. В настоящее время выпускаются микросхемы, в которые можно многократно записывать и воспроизводить информацию, как речевую, так и музыкальную.

Схема собрана на минимальном числе деталей и может применяться в музыкальных звонках, игрушках, сигнализаторах и тп. Напряжение питания 3..5 вольт, в ждущем режиме энергопотребление отсутствует.

Устройство на основе микросхемы ISD1210S семейства ChipCorder компании Winbond Electronics предназначено для записи и высококачественного воспроизведения звуковых фрагментов до 10сек.

Мелодия меняется автоматически, звучит полностью, при повторном нажатии кнопки звонка не включается следующая мелодия, если предыдущая не закончилась.

Руководствуясь этой статьей, вы сможете собрать собственный логический пробник, с помощью которого можно легко находить ошибки или просто анализировать работу цифровых устройств. Пускай по компактности и удобству он будет уступать промышленному, зато пользоваться таким гораздо приятнее.

В основе устройства - интегральная микросхема фирмы Samsung KA2281 (двухканальный пятиразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой).

Есть ли у вашего усилителя индикатор уровня сигнала? Я всегда завидовал причудливым усилителям с графическим измерителем уровня сигнала на светодиодах таких, которые вы можете найти в стерео системах.

Миниатюризация является основной тенденцией развития современной электронной техники. На фоне успехов миниатюризации цифровых и аналоговых устройств преобразования сигналов миниатюризация источников вторичного электропитания (ИВЭП) заметно отстаёт. Объём ИВЭП часто сопоставим с объёмом остальной аппаратуры. При этом не менее 20% всех отказов приходится на долю блоков питания. Поэтому у разработчиков всё больший интерес вызывают импульсные ИВЭП.

Современный офис трудно представить без оргтехники. Многочисленные электроприборы прочно вошли в наш быт и стали просто незаменимы. И практически в каждом из этих приборов, будь то компьютер или принтер, телевизор или зарядное устройство мобильного телефона, стоят импульсные источники питания. Достижения микроэлектроники последних лет позволили применить импульсные источники не только в бытовой, но и промышленной, военной и медицинской сферах. Многочисленные преимущества импульсных источников питания были давно оценены. Существуют также и недостатки, часто выходящих из строя и не желающих после ремонта запускаться импульсных стабилизаторов. Многие проблемы связаны с большим количеством применяемых дискретных компонент и трудностями при разработке и производстве эффективных схем защиты и управления. Все эти задачи решает разработанное фирмой STMicroelectronics семейство микросхем VIPer, представляющих собой высоковольтный MOSFET-транзистор со схемой управления и защиты в одном корпусе.

Недавно компания ON Semiconductor объявила о приобретении производителя специализированных компонентов, компании AMI Semiconductor. Благодаря этому, в линейку поставляемой продукции ON Semi добавились специализированные цифровые сигнальные процессоры для обработки звукового сигнала. Они найдут применение в спецсредствах связи, медицинской и бытовой электронике.

Новое направление компании Cree - Cree Lighting® - это настоящая революция в мире приборов и устройств освещения, основанных на применении твердотельных источников света. Являясь пионером в области разработки и производства новых полупроводниковых материалов, Cree создала самые яркие в мире светодиодные лампы голубого, зеленого, красного и белого цветов.

Компания Philips разработала прототип ЖК-телевизора с толщиной корпуса 8 мм. Добиться этого удалось за счет применения инновационной системы подсветки на базе светоизлучающих диодов. О коммерческой реализации прототипа не сообщалось.

Поиски экологически чистой энергии: использование энергии СолнцаАмериканцы опробируют технологию трансформации солнечной энергии через спутник на Землю на необитаемом острове в Тихом Океане. Проект будет реализован на одном из необитаемых островов в государстве Палау в Тихом Океане. Об этом проекте было объявлено на конференции ООН по проблемам изменения климата в Индонезии. На завершение проекта отведено немногим более четырех лет. Общая стоимость эксперимента может достигнуть 1 млрд долларов США.

Фирма NXP Semiconductors представляет серию МОП-транзисторов малой мощности в конструктивной форме SOT883, в самом миниатюрном корпусе. При занимаемой площади 1,0 x 0,6 мм МОП-транзисторы SOT883 обладают показателями рассеиваемой мощности и производительности на уровне элементов SOT23. Элементы имеют RDS(on) менее 0,65 ом при 2,5 V. Время включения в пределах 12 - 16 ns, время отключения от 17 до 24 ns.

Источник: www.nxp.com

Компания National Semiconductor представила самый малогабаритный понижающий DC-DC конвертер, который обеспечивает выходной ток до 1А в диапазоне входных напряжений от 2.3 до 5.5В.

Благодаря использованию генератора накачки заряда, энергия, сохраненная в компактном конденсаторе, может поддерживать работу «монолитного» телекоммуникационного источника питания во время пропадания входного напряжения.

Rainbow Technologies приглашает специалистов посетить семинары по современным микроконтроллерам компании Atmel. Семинар пройдет в Москве 24 сентября 2008 года. Участие – бесплатное, необходимо зарегистрироваться на сайте.

Недавно компания ON Semiconductor объявила о приобретении производителя специализированных компонентов, компании AMI Semiconductor. Благодаря этому, в линейку поставляемой продукции ON Semi добавились специализированные цифровые сигнальные процессоры для обработки звукового сигнала. Они найдут применение в спецсредствах связи, медицинской и бытовой электронике.

Португальские исследователи совершили прорыв в микроэлектронике.

Ученые из Центра исследования материалов (Cenimat) факультета науки и технологии при Новом университете Лиссабона 21 июля первыми в мире представили транзисторы на основе бумаги. Новые устройства сравнимы по характеристикам с лучшими оксидными тонкопленочными транзисторами и превосходят транзисторы на аморфном кремнии.