Отправил an.Дата добавления 29.08.2009 (2614 прочтений)
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPICAL RDS(on) = 0.045 W AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW GATE CHARGE HIGH CURRENT CAPABILITY 175 C OPERATING TEMPERATURE
Для выпаивания микросхем в DIP корпусе пользуюсь проверенной технологией . Которая дает неплохие результаты , сохраняя при этом как микросхему так и дорожки печатной платы .