Разделы инструкций

В сети

Пользователей: 97
Из них просматривают:
Аналоги: 55. Даташиты: 8. Инструкции: 5. Новости: 12. Остальное: 6. Ошибки: 1. Торрент: 1. Форум: 6. Чат: 3.
Участников: 5
Гостей: 92

KT315 , alex01981 , Google , wolf170571 , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

Оглавление

SOT143, TO253

 

 SOT143

 

Код

Типономинал

Фир ма

Функ ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

4

01

MRF9011LT1

MOT

NPN

VCBO=25B;IC=30MA;PD=300MBT;h21=30..200; fT=3800МГц

C

E

B

E

02

MRF5711LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=80MA;PD=580MBT;h21=50..300; fT=8000МГц

C

E

B

E

04

MRF4427

MOT

NPN

VCBO=40B;IC=400MA;PD=220MBT;h21=10..200; fT=1600МГц

C

E

B

E

04

MRF5211LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=70MA;PD=333MBT;h21=25..125; fT=4200МГц

C

E

B

E

05

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=5000МГц

C

E

B

E

11

MRF9511ALT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=100MA;PD=322MBT;h21=75..150; fT=8000МГц

C

E

B

E

17

BAS125-07

SIEM

2xSHD

VR<25B;IF<100MA;VF(IF=35MA)<0.9B;IR<1.0MKA; CD<1.1ПФ

K1

K2

A2

A1

18

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=3500МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT3

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

1Jp

BCV61A

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..220; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Js

BCV61A

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=110..220; fT=250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Kp

BCV61B

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=200..450; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ks

BCV61B

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=200..450;fT=250 МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Lp

BCV61C

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=420..800; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ls

BCV61C

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=420..800; fT>250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Mp

BCV61

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..800;fT>100 МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

305

AT-30511

HP

NPN

VCBO=11B;IC=8MA;PD=100MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

310

AT-31011

HP

NPN

VCBO=11B;IC=16MA;PD=150MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

320

AT-32011

HP

PNP

VCBO=11B;IC=32MA;PD=200MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

3Jp

BCV62A

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=125..250; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Js

BCV62A

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=125..220; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Kp

BCV62B

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ks

BCV62B

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=220..475; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Lp

BCV62C

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ls

BCV62C

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=420..800; fT=c250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Mp

BCV62

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=100..800; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

414

AT-41411

HP

NPN

VCBO=30B;IC=50MA;PD=225MBT; h21=30..270; fT=7000MГц

C

E

B

E

47s

BAS40-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<120мA;VF(IF=40мA)<1,0B;IR<1,0MKA; CD<5,0пФ;

K1

K2

A2

A1

57

BAT17-07

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<130мA;VF(IF=10мA)<0,6B; IR<0,25MKA CD<0,75пФ;

K1

K2

A2

A1

60

BAR60

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K1 K2 A3

K3

A1

A2

61

BAR61

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K2 A3

A1

K1 A2

A3

62

BAT62

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<20мA;VF(IF=2мA)<1,0B; IR<10MKA; CD<0,6пФ;

A1

K2

A2

K1

63

BAT63

SIEM

2xSHD

VR<3B;IF<100мA;VF(IF=1мA)<0,3B; IR<0,01MKA; CD<0,85пФ;

A1

K2

A2

K1

67s

BAT64-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<250мA;VF(IF=100мA)<0,75B; IR<2,0MKA; CD<6пФ;

K1

K2

A2

A1

77p

BAS70-07

PHIL

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=1мA)<410MB;CD<2пФ;

K1

K2

A2

A1

77s

BAS70-07

SIEM

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=15мA)<1,0B; IR<0,1MKA; CD<2,0пФ;

K1

K2

A2

A1

8372

MRF8372

MOT

NPN

VCBO=36B;IC=200MA;PD=1880MBT; h21=30..200

C

E

B

E

97p

BCV65

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=75..800

C2

B1 B2

C1

E1 E2

98p

BCV65B

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=200..475

C2

B1 B2

C1

E1 E2

A

MRF94713

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=188MBT; h21>50; fT=8000MГц

C

E

B

E

A2

CFY30

SIEM

FET

GAAS;VDS=5B;ID=80MA;PD=250MBT;IDSS=15...60MA; gF=30MOM

S

D

S

G

A5

HSMS-2805

HP

2xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200 HA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1

K2

A2

A1

A61

BAS28

CENTS

2xFID

IF<250мА;VBR>75B;VF(IF=10мА)<0,855В;IR<1000нА; tRR<6.0нс; CD<2,0 пФ

A1

A2

K2

K1

A7

HSMS-2807

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

A8

HSMS-2808

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

B5

HSMS-2815

HP

2xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CT<1,2 пФ;RD=15OM

K1

K2

A2

A1

B7

HSMS-2817

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

B8

HSMS-2818

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C5

HSMS-2825

HP

2xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CD<1,0 пФ;RD=12OM

K1

K2

A2

A1

C7

HSMS-2827

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C8

HSMS-2828

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C9

HSMS-2829

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 A2

A3 K4

A4 K2

K3 A1

C95

BCV64

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

C96

BCV64B

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=220…475; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D95

BCV63

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D96

BCV63B

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=200…450; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

FAs

BFP81

SIEM

NPN

VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт;h21=50…200; FT>5800МГц

C

E

B

E

FEs

BFP93A

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт;h21=50…200; FT>6000МГц

C

E

B

E

G5

HSMP-3895

HP

2xPIN

IF<1А; PD=250мВт;VBR>100B; RS>2.5Ом; CT<0.30пФ

А1

А2

К2

К1

HHs

BBY51-07

SIEM

2xBD

VR<7B;IF<20мA;IR<0.01мкA;C1V=4.8…6.0пФ; C2V /C4V=1.55…2.15

K1

K2

A2

A1

JPs

BAW101

SIEM

2xDI

VR<300B;IF<250мA;VF(IF=100MA)<1.3B;IR<0.15мкА; CD<6.0 пФ;tRR<1000нс

K1

K2

A2

A1

JSs

BAW100

SIEM

2xDI

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=150MA)<1.25B;IR<1.0мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

А1

А2

К2

К1

JTp

BAS28

SIEM

2xFD

VR<75B;IF<215мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<1.5 пФ;tRR<4нс

K1

K2

A2

A1

JTs

BAS28

PHIL

2xD1

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=50MA)<1.0B;IR<0.1мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

L30

BAV23

PHIL

2xD

VR<200B;IF<225мA; VF(IF=100MA)<1.0B; CD<5пФ;tRR<50нс

K1

K2

A2

A1

L41

BAT74

PHIL

2xSHD

VR<30B;IF<200мA; VF(IF=1MA)<320B; CD<10пФ;tRR<5нс

K1

K2

A2

A1

L51

BAS56

CENTS

2xFID

IF<200мА;VBR>60B;VF(IF=10мА)<0.75В;IR<100нА; tRR<6.0нс; CD<2.5пФ

A1

A2

K2

K1

L51

BAS56

PHIL

2xFID

VR<60B;IF<200мA; VF(IF=200MA)<1.0B; CD<2.5пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

M

BAR65-07

SIEM

2xPIN

VR<30B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<0.9пФ

K1

K2

A2

A1

MB

BF995

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.1Дб; IDSS=4…20мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MB

BF995

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.8Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MK

BF997

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

SIEM

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>24мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

TELEF

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; IDS=4…18мA; gF>21мСм

S

D

G2

G1

MS

CF739

SIEM

nFET

GaAs; VDS=10B;ID=80мA; PD=240мBт; IDS=6…60мA; gF=25мСм

S

D

G2

G1

MX

CF750

SIEM

FET

GaAs; VDS=8B;ID=80мA; PD=300мBт; IDSS=50мA; gF=25мСм

GN D

D

G

S

MYs

BF1012

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

MZs

BF1005

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

NYs

BF1012S

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

NZs

BF1005S

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.6Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

PTs

BAR64-07

SIEM

2xPIN

VR<200B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.1B; CD<0.35пФ

K1

K2

A2

A1

RAs

BF772

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; FT=8000МГц

C

E

B

E

RCs

BFP193

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RDs

BFP180

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30…200; fT=6200МГц

C

E

B

E

REs

BFP280

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30…200; fT=7000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=450мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RKs

BFP194

SIEM

PNP

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h21=20…150; fT=5000МГц

C

E

B

E

RLs

BFP196

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h21=50…200; fT=7500МГц

C

E

B

E

S4

BBY62

PHIL

2xBD

VR<30B;IF<20мA; C1V=16 пФ; C28V=1.6…2 пФ; C1V/C28V=8.3

K1

K2

A2

A1

S5

BAT15-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

S6

BAT15-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S8

BAT14-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.48B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S9

BAT14-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.55B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

SN

BAT63-099R

SIEM

4xSHD

IF<50А; VF(IF=1MA)<0.3B; CD<1.1пФ

A3 K1

A4 K2

K3 A2

A1 C4

T5

HSMS-2865

HP

2xSHD

VBR>5B;VF(IF=30MA)<0.6B;CD<0.30 пФ;RD=10OM

K1

K2

A2

A1

7
<< Меню >>  
Комментарии принадлежат их авторам. Мы не несем ответственности за их содержание.
Отправитель Нити

Разное

При замене радиодетали освободить отверстие от припоя можно заострённой спичкой.

Интересно

Храните микросхемы в упаковке, обеспечивающей закорачивание их выводов, например, завернутыми в алюминиевую фольгу.

Похожие инструкции