Разделы инструкций

В сети

Пользователей: 135
Из них просматривают:
Аналоги: 48. Видео: 1. Галерея: 1. Даташиты: 26. Инструкции: 6. Новости: 26. Остальное: 7. Программы: 2. Производители: 2. Расчёты: 1. Теги: 2. Торрент: 2. Форум: 7. Чат: 4.
Участников: 5
Гостей: 130

an , alex01981 , Google , wolf170571 , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

Оглавление

SOT143, TO253

 

 SOT143

 

Код

Типономинал

Фир ма

Функ ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

4

01

MRF9011LT1

MOT

NPN

VCBO=25B;IC=30MA;PD=300MBT;h21=30..200; fT=3800МГц

C

E

B

E

02

MRF5711LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=80MA;PD=580MBT;h21=50..300; fT=8000МГц

C

E

B

E

04

MRF4427

MOT

NPN

VCBO=40B;IC=400MA;PD=220MBT;h21=10..200; fT=1600МГц

C

E

B

E

04

MRF5211LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=70MA;PD=333MBT;h21=25..125; fT=4200МГц

C

E

B

E

05

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=5000МГц

C

E

B

E

11

MRF9511ALT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=100MA;PD=322MBT;h21=75..150; fT=8000МГц

C

E

B

E

17

BAS125-07

SIEM

2xSHD

VR<25B;IF<100MA;VF(IF=35MA)<0.9B;IR<1.0MKA; CD<1.1ПФ

K1

K2

A2

A1

18

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=3500МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT3

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

1Jp

BCV61A

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..220; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Js

BCV61A

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=110..220; fT=250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Kp

BCV61B

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=200..450; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ks

BCV61B

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=200..450;fT=250 МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Lp

BCV61C

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=420..800; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ls

BCV61C

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=420..800; fT>250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Mp

BCV61

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..800;fT>100 МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

305

AT-30511

HP

NPN

VCBO=11B;IC=8MA;PD=100MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

310

AT-31011

HP

NPN

VCBO=11B;IC=16MA;PD=150MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

320

AT-32011

HP

PNP

VCBO=11B;IC=32MA;PD=200MBT; h21=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

3Jp

BCV62A

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=125..250; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Js

BCV62A

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=125..220; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Kp

BCV62B

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ks

BCV62B

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=220..475; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Lp

BCV62C

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ls

BCV62C

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=420..800; fT=c250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Mp

BCV62

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=100..800; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

414

AT-41411

HP

NPN

VCBO=30B;IC=50MA;PD=225MBT; h21=30..270; fT=7000MГц

C

E

B

E

47s

BAS40-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<120мA;VF(IF=40мA)<1,0B;IR<1,0MKA; CD<5,0пФ;

K1

K2

A2

A1

57

BAT17-07

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<130мA;VF(IF=10мA)<0,6B; IR<0,25MKA CD<0,75пФ;

K1

K2

A2

A1

60

BAR60

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K1 K2 A3

K3

A1

A2

61

BAR61

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K2 A3

A1

K1 A2

A3

62

BAT62

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<20мA;VF(IF=2мA)<1,0B; IR<10MKA; CD<0,6пФ;

A1

K2

A2

K1

63

BAT63

SIEM

2xSHD

VR<3B;IF<100мA;VF(IF=1мA)<0,3B; IR<0,01MKA; CD<0,85пФ;

A1

K2

A2

K1

67s

BAT64-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<250мA;VF(IF=100мA)<0,75B; IR<2,0MKA; CD<6пФ;

K1

K2

A2

A1

77p

BAS70-07

PHIL

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=1мA)<410MB;CD<2пФ;

K1

K2

A2

A1

77s

BAS70-07

SIEM

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=15мA)<1,0B; IR<0,1MKA; CD<2,0пФ;

K1

K2

A2

A1

8372

MRF8372

MOT

NPN

VCBO=36B;IC=200MA;PD=1880MBT; h21=30..200

C

E

B

E

97p

BCV65

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=75..800

C2

B1 B2

C1

E1 E2

98p

BCV65B

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=200..475

C2

B1 B2

C1

E1 E2

A

MRF94713

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=188MBT; h21>50; fT=8000MГц

C

E

B

E

A2

CFY30

SIEM

FET

GAAS;VDS=5B;ID=80MA;PD=250MBT;IDSS=15...60MA; gF=30MOM

S

D

S

G

A5

HSMS-2805

HP

2xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200 HA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1

K2

A2

A1

A61

BAS28

CENTS

2xFID

IF<250мА;VBR>75B;VF(IF=10мА)<0,855В;IR<1000нА; tRR<6.0нс; CD<2,0 пФ

A1

A2

K2

K1

A7

HSMS-2807

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

A8

HSMS-2808

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

B5

HSMS-2815

HP

2xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CT<1,2 пФ;RD=15OM

K1

K2

A2

A1

B7

HSMS-2817

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

B8

HSMS-2818

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C5

HSMS-2825

HP

2xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CD<1,0 пФ;RD=12OM

K1

K2

A2

A1

C7

HSMS-2827

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C8

HSMS-2828

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C9

HSMS-2829

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 A2

A3 K4

A4 K2

K3 A1

C95

BCV64

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

C96

BCV64B

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=220…475; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D95

BCV63

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D96

BCV63B

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=200…450; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

FAs

BFP81

SIEM

NPN

VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт;h21=50…200; FT>5800МГц

C

E

B

E

FEs

BFP93A

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт;h21=50…200; FT>6000МГц

C

E

B

E

G5

HSMP-3895

HP

2xPIN

IF<1А; PD=250мВт;VBR>100B; RS>2.5Ом; CT<0.30пФ

А1

А2

К2

К1

HHs

BBY51-07

SIEM

2xBD

VR<7B;IF<20мA;IR<0.01мкA;C1V=4.8…6.0пФ; C2V /C4V=1.55…2.15

K1

K2

A2

A1

JPs

BAW101

SIEM

2xDI

VR<300B;IF<250мA;VF(IF=100MA)<1.3B;IR<0.15мкА; CD<6.0 пФ;tRR<1000нс

K1

K2

A2

A1

JSs

BAW100

SIEM

2xDI

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=150MA)<1.25B;IR<1.0мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

А1

А2

К2

К1

JTp

BAS28

SIEM

2xFD

VR<75B;IF<215мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<1.5 пФ;tRR<4нс

K1

K2

A2

A1

JTs

BAS28

PHIL

2xD1

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=50MA)<1.0B;IR<0.1мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

L30

BAV23

PHIL

2xD

VR<200B;IF<225мA; VF(IF=100MA)<1.0B; CD<5пФ;tRR<50нс

K1

K2

A2

A1

L41

BAT74

PHIL

2xSHD

VR<30B;IF<200мA; VF(IF=1MA)<320B; CD<10пФ;tRR<5нс

K1

K2

A2

A1

L51

BAS56

CENTS

2xFID

IF<200мА;VBR>60B;VF(IF=10мА)<0.75В;IR<100нА; tRR<6.0нс; CD<2.5пФ

A1

A2

K2

K1

L51

BAS56

PHIL

2xFID

VR<60B;IF<200мA; VF(IF=200MA)<1.0B; CD<2.5пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

M

BAR65-07

SIEM

2xPIN

VR<30B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<0.9пФ

K1

K2

A2

A1

MB

BF995

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.1Дб; IDSS=4…20мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MB

BF995

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.8Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MK

BF997

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

SIEM

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>24мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

TELEF

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; IDS=4…18мA; gF>21мСм

S

D

G2

G1

MS

CF739

SIEM

nFET

GaAs; VDS=10B;ID=80мA; PD=240мBт; IDS=6…60мA; gF=25мСм

S

D

G2

G1

MX

CF750

SIEM

FET

GaAs; VDS=8B;ID=80мA; PD=300мBт; IDSS=50мA; gF=25мСм

GN D

D

G

S

MYs

BF1012

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

MZs

BF1005

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

NYs

BF1012S

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

NZs

BF1005S

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.6Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

PTs

BAR64-07

SIEM

2xPIN

VR<200B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.1B; CD<0.35пФ

K1

K2

A2

A1

RAs

BF772

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; FT=8000МГц

C

E

B

E

RCs

BFP193

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RDs

BFP180

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30…200; fT=6200МГц

C

E

B

E

REs

BFP280

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30…200; fT=7000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=450мВт; h21=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RKs

BFP194

SIEM

PNP

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h21=20…150; fT=5000МГц

C

E

B

E

RLs

BFP196

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h21=50…200; fT=7500МГц

C

E

B

E

S4

BBY62

PHIL

2xBD

VR<30B;IF<20мA; C1V=16 пФ; C28V=1.6…2 пФ; C1V/C28V=8.3

K1

K2

A2

A1

S5

BAT15-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

S6

BAT15-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S8

BAT14-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.48B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S9

BAT14-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.55B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

SN

BAT63-099R

SIEM

4xSHD

IF<50А; VF(IF=1MA)<0.3B; CD<1.1пФ

A3 K1

A4 K2

K3 A2

A1 C4

T5

HSMS-2865

HP

2xSHD

VBR>5B;VF(IF=30MA)<0.6B;CD<0.30 пФ;RD=10OM

K1

K2

A2

A1

7
<< Меню >>  
Комментарии принадлежат их авторам. Мы не несем ответственности за их содержание.
Отправитель Нити

Разное

Во время ремонта телевизора не ставьте настольную лампу на его корпус.

Интересно

Сортировать всякую всячину поможет магнит, завернутый в бумагу или полиэтилен.

Похожие инструкции