IRF530, IRF530FI - Даташиты - Портал радиолюбителей

В сети

Пользователей: 142
Из них просматривают:
Аналоги: 37. Даташиты: 50. Инструкции: 2. Новости: 10. Остальное: 1. Программы: 4. Профиль пользователя: 2. Форум: 36.
Участников: 2
Гостей: 140

Google , Яндекс , далее...

Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Даташиты : Транзисторы : Полевые

Транзисторы

Полевые : IRF530, IRF530FI

Отправил an. Дата добавления 29.08.2009 (2306 прочтений)

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
TYPICAL RDS(on) = 0.095 W
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
LOW GATE CHARGE
HIGH CURRENT CAPABILITY
175 C OPERATING TEMPERATURE

IRF530.pdf

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Если, нет специального оборудования, типа паяльной станции и фенов, для отпайки микрочипа можно воспользоваться тонким фторопластовым проводом.

Случайные новости

[21.11.2012] Радиоаматор
Журнал Радиоаматор №11 2012

[23.02.2012] Радиоаматор
ЖурналРадиоаматор №1, 2012

[31.03.2010] Контроллеры
ATmega128

[01.02.2010] Измерения
прибор ТЛ-4М

[05.01.2010] Источники питания
Формирователь отрицательного напряжения

[28.09.2009] Радио-начинающим
Бегущий огонек

[09.06.2009] Радиоаматор
Журнал Радиоаматор №6-2009г

[30.05.2009] Радиоконструктор
Радиоконструктор №05-2009

[08.01.2009] Транзисторы
Схемы включения биполярных транзисторов

[06.09.2008] Радиоаматор
Журнал Радиоаматор №7-2008г