Отправил an.Дата добавления 29.08.2009 (2148 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
Выходные каскады УНЧ бывают разных типов и не всегда есть возможность осуществить первое включение без оконечного каскада. В этом случае возможна замена низкоомных токоизмерительных резисторов на номиналы 5-10 Ом.