Отправил an.Дата добавления 30.08.2009 (2085 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
При первом включении после ремонта (для двухтактных УНЧ): 1. в разрыв "+" и "_" резисторы около 100 Ом для ограничения тока в случае не полного устранения неисправности.