Отправил an.Дата добавления 30.08.2009 (1770 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching
При первом включении после ремонта (для двухтактных УНЧ): 1. в разрыв "+" и "_" резисторы около 100 Ом для ограничения тока в случае не полного устранения неисправности.