Даташиты

Если Вы ищете документацию на какую-либо микросхему, описание какого-либо транзистора, то в данном разделе Вы можете её скачать.

В сети

Пользователей: 74
Из них просматривают:
Аналоги: 12. Видео: 3. Галерея: 4. Даташиты: 6. Инструкции: 1. Новости: 7. Остальное: 1. Программы: 7. Производители: 6. Профиль пользователя: 5. Теги: 1. Торрент: 1. Форум: 19. Чат: 1.
Участников: 3
Гостей: 71

Google , T112-10 , Яндекс , далее...
Рекорд 2375 человек онлайн установлен 26.12.2015.

Партнёры


Партнёры

Новые объявления

В настоящее время нет объявлений.

Контроллеры, Интерфейсы : IR11682S
Отправил MACTEP. Дата добавления 07.11.2013 (1610 прочтений)

DUAL SmartRectifierTM DRIVER IC

Features
· Secondary-side high speed controller for synchronous rectification in resonant half bridge topologies
· 200V proprietary IC technology
· Max 400KHz switching frequency
· Anti-bounce logic and UVLO protection
· 4A peak turn off drive current
· Micropower start-up & ultra low quiescent current
· 10.7V gate drive clamp
· 80ns turn-off propagation delay
· Wide Vcc operating range
· Direct sensing for both Synchronous Rectifiers
· Cycle by Cycle MOT Check Circuit prevents multiple false trigger GATE pulses
· Minimal component count
· Simple design
· Lead-free

Typical Applications
· LCD & PDP TV, Telecom SMPS, AC-DC adapters

Description
IR11682 is a dual smart secondary-side rectifier driver IC designed to drive two N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in resonant converter applications. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The drain to source for each rectifier MOSFET voltage is sensed differentially to determine the level of the current and the power switch is turned ON and OFF in close proximity of the zero current transition. The anti shoot-through logic prevents both channels from turning on the power switches at the same time. The cycle-by-cycle MOT protection circuit can automatically detect no load condition and turn off gate driver output to avoid negative current flowing through the MOSFETs. Ruggedness and noise immunity are accomplished using an advanced blanking scheme and double-pulse suppression that allows reliable operation in fixed and variable frequency applications.

Оценка: 0.00 (0 votes) - Оценить | Править описание | Сообщить о нерабочей ссылке | Рассказать другу | Комментарии (0)

Разное

Интересно

Это интересно. Если надо паять нихромовую проволоку - не соединений, работающих в невысоких температурах - можно легко облудить и пропаять соединение в обычной лимонной кислоте.

Случайные новости

[10.10.2016] Nuts And Volts
Nuts and Volts №10 2016
[08.10.2013] Circuit Cellar
Circuit Cellar №279 2013
[31.12.2010] Инфо
С Новым, 2011, годом!!!
[08.12.2010] Радиоконструктор
Радиоконструктор №12 2010
[20.07.2010] Радиоаматор
Журнал Радиоаматор 05 2010г
[31.03.2010] Контроллеры
ATmega128. Набор инструкций
[27.08.2009] Для дома и быта
Лазерная СДУ
[09.06.2009] Радиоаматор
Журнал "Радиоаматор" №5-2009