Отправил an.Дата добавления 10.09.2009 (4522 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling
Наличие высокого напряжения на присоске можно проверить отверткой, соединенной с корпусом через резистор 3-5 МОм Наличие резистора обязательно, так как без него из-за большого тока можно повредить умножитель или строчный трансформатор типа ТДКС.