Отправил an.Дата добавления 31.08.2009 (1381 прочтений)
HEXFET® Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated For Automatic Insertion End Stackable Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements
При первом включении после ремонта (для двухтактных УНЧ): 1. в разрыв "+" и "_" резисторы около 100 Ом для ограничения тока в случае не полного устранения неисправности.